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本低壓熔斷器觸頭性能測試臺*國家標(biāo)準(zhǔn)IEC60269-1：2009、GB13539.1-2015（低壓熔斷器第1部分：基本要求） 標(biāo)準(zhǔn)中第8.10章節(jié)“觸頭不變壞驗證"的試驗要求，用于模擬熔斷器在嚴(yán)酷使用條件下，驗證長期運行中不受擾動的觸頭性能損壞情況。
一、設(shè)備概述：
本低壓熔斷器觸頭性能測試臺*國家標(biāo)準(zhǔn)IEC60269-1：2009、GB13539.1-2015（低壓熔斷器第1部分：基本要求） 標(biāo)準(zhǔn)中第8.10章節(jié)“觸頭不變壞驗證”的試驗要求，用于模擬熔斷器在嚴(yán)酷使用條件下，驗證長期運行中不受擾動的觸頭性能損壞情況。
二、主要技術(shù)參數(shù)：
1. 設(shè)備輸出電壓：0~690V；
2. 設(shè)備輸出電流：0~5000A；
3. 通電時間：1~9999s；
4. 斷電時間：1~9999s；
5. 試驗樣品：3組；
6. 試驗循環(huán)次數(shù)：1-800次可設(shè)置；
